Väikesed pingemuutused emitteri ja baasi vahel tekitavad suuri pingemuutusi baasi ja kollektori vahel. St et transistor on pinge võimendaja. Baasi potentsiaalid npn pos, pnp neg Transistor on pinge võimendaja. 6. Pooljuhtdioodi tööpõhimõte Elektrivoolu läbib pn siirde tekitavad põhilised laengukandjad. Nii n-pooljuhid kui p-pooljuhid. Voolutugevus on suur ja pn-siirde takistus on väike. 7. Väljatransistor ( tööpõhimõte, skeem) Pais + - kiirendab elektronide liikumist suudmele otsesiire. Pais aeglustab elektronide liikumist suudmele vastusiire. 8. Kiip Kiip Kinnine mikroskeem, pooljuhtplaat, milles on transistorid, dioodid, takistid, kondensaatorid. Kiipidest pannakse kokku arvuti, töö põhineb ränikristallil. Aktseptorpooljuht 3 elektroni väliskihis p-pooljuht doonorpooljuht 5 elektroni väliskihis n-pooljuht...
Transistor Reili Koplimets Silver Palm Liisi Lehtsaar Mõiste Kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadeldis Sellega saab ühe elektrisignaali abil juhtida teist elektrisignaali Jagunevad kaheks: Bipolaartransistor-juhitakse vooluga Väljatransistor - juhitakse pingega Eelkäijad Relee-signaali sisse-ja väljalülitamiseks Elektronlamp ehk raadiolamp- selleks eraldi väljundkarakteristik Ajalugu Esimene transistori patent füüsik Julius Edgar Lilienfeldile 1925. aastal. 1942.aastal eksperimenteeris sakslane Herbert Matare topeltdioodidega. Tema loodud seadmel oli pooljuhtaluse peal kaks eraldiseisvat , kuid väga lähestikku asuvat metallkontakti. Sellest algeline idee bipolaartransistori loomiseks. 1947.aastal avastasid USA teadlased John Bardeen ja Walter Brattain, et kui panna germaaniumkristalli külge elektrilised kontaktid, siis sellest väljuva elektrivoolu tugevus on olulisemalt suurem esialgsest elektrivoolu tugevusest. 1954 e...
Olukorda aitab leevendada koormusega paralleelselt lülitatav diood, mis lühistab koormuse klemmidel tekkiva emj transistori väljalülitamise reziimis. Sel juhul tööpunkt ei liigu mitte enam punkti C vaid punkti D kus mõjuv pinge on praktiliselt 2 korda väiksem. Kasutatav diood peab olema piisava voolu ja vastupingega ja vooluimpulsi vähendamiseks võib lülitada temaga järjestikku kuni 10 takistuse. 1.5 Väljatransistor lüliti rezhiimis Peale bipolaartransistori püütakse järjest enam kasutada lülitireziimis töötamiseks ka väljatransistore. Väljatransistorid on pingega tüüritavad elemendid ja sisendvoolu puudumise tõttu on nende kasutamisel tüüriva signaali võimsus märksa väiksem kui samavõimsal bipolaartransistoril. Seni on piiranud väljatransistoride kasutamist lülitireziimis, eriti suurte võimsuste...
Ühtlaste vahedega baasivoolude korral ik ik Transistori parameetrid: h21e = ib ib See on voolu võimenduse tegur u be h11e = - leitakse kui dif. takistus sisendkarakteristikult ib h21e = 100...250 tavaliselt pnp on tavaliselt abistav variant. Seal on kõik vastupidi ehk siis augud juhivad voolu jmt. 1.11. Väljatransistor , ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid Väljatransistor (nõrgem vool kui bipolaarsetes transistorides, arvutitehnikas peamised) Allolev joonis on p-kanaliga ehk siis tegelt on see abistava transistori joonis, õige oleks n kanaliga ehk siis kõik on vastupidi. -metall - isolatsioon SiO2 Voolu suund LÄTTEST SUUDMESSE...
Uudo Usai ELEKTROONIKA KOMPONENDID Elektroonika alused TPT 1998 ELEKTROONIKAKOMPONEND1D lk.1 SISSEJUHATUS Kaasaegsed elektroonikaseadmed koosnevad väga suurest hulgast elementidest, millest on koostatud vajaliku toimega lülitused. Otstarbe tähtsuselt jagatakse neid elemente põhi-ja abielementideks. Põhielementideks on need, milleta pole lülituste töö võimalik. Abielementideta on lülituste töö küll võimalik, kuid nendest sõltuvad suuresti seadme tarbimisomadused. Põhielemendid jagunevad omakorda passiiv- ja aktiivelementideks. Passiv- elementideks on takistid, kondensaatorid ja induktiivpoolid, aktiivelementideks dioodid, transistorid ja integraallülitused. Abielementideks on pistikud, ümberlülitid, klemmliistud, mitmesugused konstruktsioonelemendid jne. Käeso...
Mahtuvusdiood transistor NPN-transistor põikisuu- Kahepolaarne diood nas nihutatud baasiga Dioodtüristor PNIP-transistor Sümmeetriline N-kanaliga dioodtüristor, diiak väljatransistor P-kanaliga Trioodtüristor väljatransistor Tingmärk Nimetus Tingmärk Nimetus Formeeritud N-kana-liga Suletav türistor väljatransistor Pöördtõkestusega Indutseeritud P-kana-...
44 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) ............................................................................................44 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). ...................................................................................................46 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). ......................................................................................48 5.5 Väljatransistor lüliti reziimis ...................................................................................................................................48 5.6.Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel ..............................................................................................................49 5.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor). ................................................................................................50 5.8...
Sisendtakistus on võimendi sisend klemmide vahel kujuldetav takistus mis koormab signaali allikat. On ilmne, et on soovitav, et võimendi sisendtakistus oleks võimalikult suur sest sellisel juhul on signaal allika koormus väike ja ei teki signaali kadu. Sisendtakistuse väärtus sõltub kasutatavadest võimendus elemenditest. Transistor võimendi on ta mõne kilooomi ringis, lamp ja väljatransistor võimendidel aga megaoomides. 2. Väljundtakistus see on kujuldetava väljundpinge generaatori sisetakistus. On soovitav, et väljund takistus oleks võimalikult väike sest siis on väike ka tema klemmidel tekkiv signaali kadu. 3. Nimisisendsignaal see on sisend signaali amplituud väärtus, millele võimendi on arvestatud. Ta sõltub kasutatavast sisend signaali allikast nii...
AND (JA, loogiline korrutamine, konjuktsioon) OR (VÕI, loogiline liitmine, disjunktsioon) NOT (EI, loogiline eitus, inversioon) Teisendusvalemid: · Diskreetne aeg Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad Esimesed digitaalsetest integraallülitustes kasutati lülituselementidena bipolaartransistore, sest nende valmistamise tehnoloogia oli rohkem arenenud. Hiljem aga osutus, et suure tihedusega lülituste tarbeks on unipolaarne e. väljatransistor palju sobivam. Viimaste valmistamine nõuab vähem tehnoloogilisi operatsioone ja vähem pinda ühe lülituselemendi kohta. Seetõttu valmistati esimesed mikroprotsessorid eranditult väljatransistoride baasil. Vaatamata oma tehnoloogilistele eelistele jäävad väljatransistorid bipolaarsetele siiski alla töökiiruse poolest. See omakorda stimuleeris viimaste forsseeritud arendamist ning selline konkureeriv areng on kestnud tänapäevani. Tulemusena ei ole kumbagi...
Veidike ajalugu pooljuhtidest: · 1874- esimene pooljuhi ja metalli töötav kontakt (Braun) · 1899- elektroni avastamine · 1907- esimene valgust kiirgav diood (Round) · 1947- esimene bipolaarne transistor (Bardeen, Brattain, Shockley) · 1954- esimene päikesepatarei (Chapin, Fuller, Pearson) · 1958- esimene tunneldiood (Esaki) · 1959- esimene nn. mikroskeem · 1960- esimene metall-oksiid-pooljuht väljatransistor (MOSFET) · 1962- esimene pooljuhtlaser GaAs baasil (IBM laboris) · 1966- esimene metall-pooljuht väljatransistor (MESFET) · 1971- esimene mikroprotsessor INTEL 4004 · Pooljuhtide kasutusalad: · LED-id · Pooljuhtlaserid · Mikroelektroonika · Valgusdetektorid · Päikesepatareid · Muud kasutusalad · Pooljuhtide tulevik: · Valgust kiirgav räni (Si laser IBM-ist) · Optilised arvutid, optilised · signaaliedastused........
Füüsikaliste suuruste mõisted, definitsioonid ja ühikud muuda] Voolu töö ja võimsus. Joule-Lenzi seadus. Potentsiaal ja pinge. Elektriväli, suund ja tugevus. Voolu tugevus ja tihedus. Takistus, selle sõltuvus juhi mõõtmetest. Eritakistus. Laeng ja mahtuvus. Induktiivsus. Vooliuallika elektromotoorjõud, lühisvool ja sisetakistus. Voolu töö ja võimsus. Voolu töö on võrdeline voolutugevusega I, pingega U juhi otstel ja ajaga t. [ J ] Võimsus on ajaühikus tehtud töö. [ W ] A p= t Joule-Lenzi seadus. Joule-Lenzi seadus : elektrivoolu toimel juhis eralduv soojushulk Q on võrdeline voolutugevuse I ruuduga, juhi takistusega R ja voolu kestusega t ning ku...
kasutatakse selektiivsete elementidena sagedusest sõltuvaid RClülisid. Nendest klassikaline 1. filtriga võimu ehitamine _"Wien`i sild". faasinihet fo puhul ple. Diferentseeriv ja integreeriv ahel, saab ühendada võimu 2. mahtuvuslik filter alaldis külge mitteinv-va skeemiga. Mida madalam sagedus, seda väiksem hüvetegur. Ülemisest klemmist 3. väljatransistor inv OV valj, alumisest OV +. Vaja Ku3->Rts/Ro2. 4. PROM 4. küllastus välditud(puudub peensiire) ja kiirus 3-4x suurem kui TTL(=10ns). Pooljuhtmaterjal 5. High-Z (kõrge-oomiline) ja metall. Selleks, et vältida bipolaarse transistori küllastusse minekut 1. Filter OV väljundisse või sisendisse. Nt RC,CR,LC filter väljundisse. Inv võim, mitteinv. kasutatakse võtet nimega dioodne fiksatsioon...
ELEKTROONIKA ALUSED Elektroonikaseadmete koostaja erialale 2007 SISUKORD ........................................................................................................................................... 24 I...................................................................................................................................... 25 U2.................................................................................................................................. 25 ........................................................................................................................................... 25 VD2................................................................................................................................ 25...
Edasi liiguvad laengud kuni pinge tekitajani. Transistor koosneb kahest järjestikusest vastupidisest pn-siirdest. Transistor koosneb kahest ühendatud dioodist. TRANSISTOR- (ingl. transfer üle kandma + resistor takisti) on kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks ja muundamiseks. · Väljatransistor ehk unipolaartransistor- pooljuhtseadis · Bipolaartransistor- kolm auk- ja elektonjuhtivusega kihti Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali · Leiutati 55 aastat tagasi. Pani aluse kogu elektroonikatööstuse ja nüüdisühiskonna arengule. Transistor on elektrilambist: · Palju väiksem- isegi kuni tuhandeid kordi · Ökonoomsem- eraldub vähem soojust · Mehaaniliselt vastupidavam · Pikema tööeaga...
Pooljuhtseadised M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk. 23...41): - Pooljuhtdiood, tema ehitus. Alaldava siirde tekkimise tingimus. Protsessid pooljuhtdioodis. Pooljuhtdioodi kasutamisala, põhiparameetrid (lk 23...26). - Bipolaartransistor, tema ehitus, pingestamine, protsessid transistorstruktuuris (27...30). - Ühise baasiga ja ühise emitteriga lülituse karakteristikud (30...32). - Bipolaarne liittransistor (33). - Väljatransistorid (p-n siirdega, isoleeritud paisuga), nende ehitus, tööpõhimõte, tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2.2 Päripingestatud pn-siire...
Parameetrid h12 ja h12 on dimensioonita suurused: h12=u1/u2 kui i1=0 või I1=const. h21=i2/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h11 on takistuse dimensiooniga h11=u1/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h22 on juhtivuse dimensiooniga h22=i2/u2 kui i1=0 või I1=const. 40. Millistest teguritest sõltuvad h-parameetrid? Voolust ja pingest 41. Mis on väljatransistor ? Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. n-tüüpi MOSFET Voolu tüürimise iseloomult jagunevad väljatransistorid: 1...
4. Võimendusastmed väljatransistoride baasil Väljatransistoridega võimendusastmed sarnanevad põhiomaduste osas üldiselt bipolaartransistoridega võimendusastmetele. Ühise emitteriga lülitusele vastab väljatransistoride puhul ühise lättega lülitus, ühise kollektoriga lülitusele vastab ühise neeluga lülitus ja ühise baasiga lülitusele vastab ühise paisuga lülitus. Kuna aga erinevalt bipolaartransistorist on väljatransistor sarnaselt elektronlambile pingega tüüritav seadis, siis sobib väljatransistori võimendusomadusi iseloomustama parameeter S nimetusega `tõus': DI välj S= DU sis Väljatransistori (kui pingega tüüritava seadise) tööpunkti määravad paisupinge UGS ja neelupinge UDS ning neist otseselt sõltuv neeluvool ID....
Kondensaator C = Q/P ; [F] 1 - dielektrik 2 - metall plaat S U Pinge d- Film Capacitor (Kile kondendsaator) Isolatsiooni kile paksus 2-20 mikromeetrit, Parameeter Polüester Polükarbonaat Polüstüeer Mahtuvus 100pF - 22nF 100pF - 68µF 10pF 0,5µF Sagedus 1MHz 1MHz 10MHz Tolerants ±5-20% ±5-10% ±1-5% C pinge 1600V 400V 500V Elektrolüüt kondensaator a) Märjad ehk klassikalised elektrolüüt kondesaatorid b) Kuivad ehk tandaal elektrolüüt kondensaator 1. Kuivad elektrolüüt kondensaatorid Ta2O C=25 Induktiiv poolid Mahtuvuslik reaktiivtakistus Alalisvool ei lähe läbi. Takistus lõpmatu. Induktivsus [H] Henri Pooljuht seadised (semi-conducktor) Pooljuht kui m...
33 Väljatransistorid (unipolaarsed), FET Väljatransistoris liiguvad ühenimelised laengukandjad kanalis, mille juhtivus muudetakse elektrivälja abil. Väljatransistorid : p-n siirdega, isoleeritud paisuga. Pais, Gate, , Lätte, Source, , Neel, Drane, Mida laiem vaesunud ala, seda kitsam kanal, seda väiksem vool voolab läbi kanali. Vaesunud alas on vähe voolukandjaid. p-n siirdega väljatransistor. p-n siire on alati vastupingestatud! 34 Mida kõrgem vastupinge p-n siirdel, seda laiem on vaesunud ala. 35 Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOP- transistorid). Formeerkanaliga (sisseehitatud kanal) Indutseerkanaliga Formeerkanaliga MOP- transistor RSIS 1012 1014 Ohm. Isolaator SiO2 Alus tavaliselt on ühendatud lättega....
Elektroonika passiivelemendid 2. Elektrolüütkondensaatorid 3. Transformaatorid 4. Alaldav pn-siire (tekkimise tingimus) 5. Bipolaartransistorid (tööpõhimõte) 6. Darlington´i lülitus (liittransistor) 7. Formeerkanaliga MOP väljatransistor 8. Indutseerkanaliga (n-tüüpi) MOP-transistor 9. Indutseerkanaliga väljatransistor 10. Pooljuhtdioodid 11. Stabilitron 12. Türistor (ehitusskeem, pinge-voolu karakteristikud) 13. Väljatransistoride liigitus (koos tingmärkidega) 14. Elektronkiiretoru 15. Optronid 16. Optronid. Kõige kiiretoimelisem optron 17. Valgusdioodid 18. Vedelkristallpaneel. Eelised, puudused. 19. Resistiivne pingejagur 20. Bipolaartransistori töö lüliti režiimis 21. Bipolaartransistori väljundkarakteristikud ÜE-lülituse jaoks 22. Emitterijärgija. (skeem, pingevõimendustegur) 23...